Transistor 2N6109 TO-220 BJT 50V 7A Intersil

O 2N6109 é um transistor BJT (transistor de junção bipolar) de potência, fabricado pela Intersil. Ele é projetado para aplicações que exigem alta corrente e alta tensão, e é ideal para uso em circuitos de comutação e amplificação de potência.

Especificações do 2N6109

Modelo: 2N6109
Tipo: Transistor NPN de Potência
Encapsulamento: TO-220
Fabricante: Intersil (ou outras fabricantes, conforme disponibilidade)

Características Principais:

Tensão Máxima Coletor-Emissor (V_CE): 50V
Corrente Máxima do Coletor (I_C): 7A
Dissipação de Potência (P_C): 65W
Tensão Máxima Coletor-Base (V_CBO): 80V
Tensão Máxima Emissor-Base (V_EBO): 5V
Ganho de Corrente DC (h_FE): 15 a 150 (para o agrupamento 'A')
Temperatura de Operação: -65°C a +150°C

Aplicações:

Amplificadores de Potência: Utilizado em amplificadores de áudio e outros circuitos que requerem amplificação de potência.
Circuitos de Comutação: Adequado para aplicações de comutação de potência, como em drivers de relé e controladores de motores.
Fontes de Alimentação: Aplicado em circuitos de fontes de alimentação para controle de potência.
Equipamentos Industriais: Ideal para circuitos que exigem alta corrente e alta tensão.

Pinagem do TO-220:

O encapsulamento TO-220 do 2N6109 possui três pinos:

Pino 1 (Coletor - C): Conexão para a corrente principal que flui quando o transistor está ativado.
Pino 2 (Base - B): Conecta-se ao sinal de controle que regula o estado de condução do transistor.
Pino 3 (Emissor - E): Saída da corrente do coletor, geralmente conectada ao terra ou a uma referência do circuito.

Características de Comutação:

Tempo de Subida (t_r): Aproximadamente 1 µs (típico)
Tempo de Descida (t_f): Aproximadamente 1 µs (típico)