O 2N5195 é um transistor de potência PNP de silício, encapsulado no formato TO-126, projetado para aplicações em amplificadores de potência e circuitos de comutação. Este componente é reconhecido por sua eficiência e confiabilidade em diversas aplicações eletrônicas.
Especificações Técnicas
- Tensão Coletor-Emissor (VCEO): -80V
- Tensão Coletor-Base (VCBO): -80V
- Tensão Emissor-Base (VEBO): -5V
- Corrente Coletor Contínua (IC): -4A
- Corrente de Pico do Coletor (ICM): -7A
- Dissipação de Potência Total (Ptot): 40W (a 25°C de temperatura de case)
- Ganho de Corrente Contínua (hFE): 25 a 100 @ 1,5A
- Frequência de Transição (ft): 2 MHz
Características Destacadas
- Baixa Tensão de Saturação: Garante menor dissipação de potência durante a condução.
- Alta Capacidade de Corrente: Suporta até 4A contínuos, adequado para aplicações de média potência.
- Complementaridade: Complementar ao transistor NPN 2N5192, facilitando o design de circuitos push-pull.
Aplicações Típicas
- Equipamentos de Áudio: Utilizado em amplificadores de potência devido à sua linearidade e baixa distorção.
- Circuitos de Comutação: Adequado para chaveamento em fontes de alimentação e outros dispositivos eletrônicos.
- Equipamentos Industriais: Empregado em diversos sistemas que requerem controle de potência e alta confiabilidade.
Para informações mais detalhadas, consulte o datasheet oficial da ON Semiconductor.
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