O **2SK1351** é um transistor de potência N-channel MOSFET da Toshiba, projetado para aplicações de alta potência e com encapsulamento **TO-220F**.
### Características principais:
- **Tipo:** MOSFET N-channel de potência
- **Encapsulamento:** TO-220F (com isolamento)
- **Tensão máxima de dreno-fonte (V_DS):** 600V
- **Corrente máxima de dreno (I_D):** 10A
- **Resistência de dreno-fonte ligada (R_DS(on)):** Aproximadamente 3.5 ohms a V_GS = 10V
- **Tensão máxima de gate-fonte (V_GS):** ±20V
- **Capacitância de dreno-fonte (C_iss):** 1800 pF
- **Potência máxima de dissipação (P_D):** 50W
### Aplicações:
- **Fonte de alimentação:** Usado em fontes de alimentação e circuitos de conversão de potência.
- **Amplificadores de áudio:** Adequado para amplificadores de áudio de alta potência.
- **Controle de motores:** Ideal para controle de motores e outras cargas indutivas.
- **Inversores:** Utilizado em inversores de energia e circuitos de comutação.
O **2SK1351** é projetado para oferecer alta eficiência e robustez em aplicações de potência. O encapsulamento TO-220F com isolamento ajuda a dissipar a energia térmica e facilita a montagem em dissipadores de calor, tornando-o adequado para operações de alta potência e exigentes em termos de desempenho térmico.
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