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Circuito Integrado K6X8008T2B-TF55 TSOP-44 SAMSUNG
O Circuito Integrado K6X8008T2B-TF55 da Samsung é um dispositivo de memória SRAM (Static Random-Access Memory) com encapsulamento TSOP-44 (Thin Small Outline Package de 44 pinos). Este CI é projetado para fornecer armazenamento de dados com acesso rápido e de alta confiabilidade, sendo amplamente utilizado em aplicações eletrônicas que proporcionam um desempenho eficiente e consumo de energia reduzido.
Características principais:
- Capacidade: 512K x 8 bits (4 Mbits)
- Tipo de memória: SRAM (RAM estática)
- Tensão de Operação: 2,7V a 3,6V
- Tempo de acesso: 55 ns (nanosegundos)
- Encapsulamento: TSOP-44, que oferece uma montagem de perfil baixo e ocupa menos espaço na placa de circuito impresso, ideal para projetos compactos.
- Consumo de Energia: Baixo consumo, com modos de operação stand-by e espera, otimizados para economizar energia quando não está em uso ativo.
Aplicações:
- Dispositivos eletrônicos portáteis
- Sistemas embarcados
- Armazenamento temporário de dados em diversos equipamentos eletrônicos
- Equipamentos de telecomunicações
- Computadores e periféricos
Benefícios:
- Alta velocidade de acesso que melhora o desempenho geral do sistema
- Baixo consumo de energia, ideal para aplicações que desejam eficiência energética
- Alta confiabilidade e durabilidade, com tolerância a variações de temperatura e voltagem
O K6X8008T2B-TF55 da Samsung é uma escolha robusta para desenvolvedores e engenheiros que buscam uma solução de memória SRAM eficiente e de alto desempenho para suas aplicações eletrônicas.
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