Circuito Integrado K6X8008T2B-TF55 TSOP-44 SAMSUNG
O Circuito Integrado K6X8008T2B-TF55 da Samsung é um dispositivo de memória SRAM (Static Random-Access Memory) com encapsulamento TSOP-44 (Thin Small Outline Package de 44 pinos). Este CI é projetado para fornecer armazenamento de dados com acesso rápido e de alta confiabilidade, sendo amplamente utilizado em aplicações eletrônicas que proporcionam um desempenho eficiente e consumo de energia reduzido.
Características principais:
- Capacidade: 512K x 8 bits (4 Mbits)
- Tipo de memória: SRAM (RAM estática)
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