Circuito Integrado K6X8008T2B-TF55 TSOP-44 Samsung

Código: 7794
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Circuito Integrado K6X8008T2B-TF55 TSOP-44 SAMSUNG

O Circuito Integrado K6X8008T2B-TF55 da Samsung é um dispositivo de memória SRAM (Static Random-Access Memory) com encapsulamento TSOP-44 (Thin Small Outline Package de 44 pinos). Este CI é projetado para fornecer armazenamento de dados com acesso rápido e de alta confiabilidade, sendo amplamente utilizado em aplicações eletrônicas que proporcionam um desempenho eficiente e consumo de energia reduzido.

Características principais:

  • Capacidade: 512K x 8 bits (4 Mbits)
  • Tipo de memória: SRAM (RAM estática)
  • Tensão de Operação: 2,7V a 3,6V
  • Tempo de acesso: 55 ns (nanosegundos)
  • Encapsulamento: TSOP-44, que oferece uma montagem de perfil baixo e ocupa menos espaço na placa de circuito impresso, ideal para projetos compactos.
  • Consumo de Energia: Baixo consumo, com modos de operação stand-by e espera, otimizados para economizar energia quando não está em uso ativo.

Aplicações:

  • Dispositivos eletrônicos portáteis
  • Sistemas embarcados
  • Armazenamento temporário de dados em diversos equipamentos eletrônicos
  • Equipamentos de telecomunicações
  • Computadores e periféricos

Benefícios:

  • Alta velocidade de acesso que melhora o desempenho geral do sistema
  • Baixo consumo de energia, ideal para aplicações que desejam eficiência energética
  • Alta confiabilidade e durabilidade, com tolerância a variações de temperatura e voltagem

O K6X8008T2B-TF55 da Samsung é uma escolha robusta para desenvolvedores e engenheiros que buscam uma solução de memória SRAM eficiente e de alto desempenho para suas aplicações eletrônicas.

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