O MT46V32M16P-6T é um módulo de memória DRAM DDR (Double Data Rate) da Spansion (agora parte da Cypress Semiconductor) em encapsulamento TSOP-66 (Thin Small Outline Package com 66 pinos). Esta memória é projetada para oferecer altas velocidades e desempenhos em sistemas que requerem um armazenamento temporário eficiente e rápido.
Características principais do MT46V32M16P-6T:
- Tipo de memória: DDR SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)
- Capacidade: 512 Mbits (megabits), organizados em 32M x 16 bits
- Velocidade de acesso: 6 ns (indicativo de uma frequência de operação de 166 MHz, DDR333)
- Tensão de operação: 2,5V ± 0,2V
- Encapsulamento: TSOP-66 de 66 pinos
- Taxa de transferência: Até 2.7 GB/s com bus de dados de 16 bits
Descrição da pinagem e funcionalidade do MT46V32M16P-6T:
Aqui está um resumo dos principais pinos e funções:
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Pinos de alimentação e terra:
- VDD/VSS: Alimentação principal e terra para a memória (tipicamente +2,5V)
- VDDQ/VSSQ: Alimentação e terra para os pinos de entrada/saída
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Pinos de controle:
- CK, CK#: Pinos de entrada de clock diferencial. A operação da memória é sincronizada com o clock recebido.
- CKE: Enable do clock. Controla a entrada em modos de espera e suspensão.
- CS#: Chip Select. Ativa ou desativa o chip para comandos.
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Pinos de comando:
- RAS# (Row Address Strobe): Habilita a seleção de linha durante um comando de leitura ou gravação.
- CAS# (Column Address Strobe): Habilita a seleção de coluna durante um comando de leitura ou gravação.
- WE# (Write Enable): Controla a operação de gravação de dados.
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Pinos de endereço e banco:
- A0–A12: Pinos de endereço de linha/coluna, utilizados para selecionar uma célula de memória específica.
- BA0, BA1: Pinos de endereço de banco. Selecionam um dos quatro bancos de memória.
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Pinos de entrada/saída de dados:
- DQ0–DQ15: Pinos de dados bidirecionais de 16 bits.
- DQS, DQS#: Strobe de dados diferencial utilizado para sincronização durante as operações de leitura/gravação.
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Pinos adicionais:
- DM0–DM1 (Data Mask): Usados para mascarar dados durante as operações de escrita.
- NC: Pinos sem conexão que não são usados e podem ser deixados sem ligação.
Como utilizar o MT46V32M16P-6T:
- Alimentação: Conecte a alimentação correta de 2,5V nos pinos VDD e VDDQ, e o GND em VSS e VSSQ.
- Interface de controle: Conecte o microcontrolador ou processador ao conjunto de pinos de controle (CK, CS#, CKE, RAS#, CAS#, WE#) para enviar os comandos necessários.
- Endereçamento e banco: Use os pinos de endereço (A0-A12) e os pinos de banco (BA0, BA1) para selecionar a célula de memória que deseja acessar.
- Operação de leitura/escrita: Utilize os pinos DQ0-DQ15 para leitura ou escrita de dados sincronizados com o strobe DQS.
Aplicações típicas:
- Memória principal em sistemas embarcados
- Computadores e laptops
- Equipamentos de telecomunicações
- Sistemas de controle industrial
O MT46V32M16P-6T é um módulo DDR SDRAM que oferece alta velocidade e eficiência, tornando-se adequado para uso em dispositivos que requerem memória volátil de alto desempenho.
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