Circuito Integrado K6t0808c1d-gl70 Smd So-28 Samsung

Código: 675
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O **K6T0808C1D-GL70** é um **circuito integrado de memória SRAM estática de 1 MB** (megabit), fabricado pela **Samsung**. Ele é encapsulado no formato **SMD SO-28** e é amplamente utilizado em aplicações que exigem armazenamento rápido e acessível de dados sem a necessidade de ciclos de refresh, como em sistemas embarcados, equipamentos de comunicação e dispositivos eletrônicos que exigem memória temporária e de baixa latência.

### Especificações principais:
- **Tipo de memória:** SRAM (Static Random-Access Memory)
- **Capacidade:** 1 Mb (128K x 8 bits)
- **Tensão de operação:** 5V (típico)
- **Velocidade de acesso:** 70 ns (nanosegundos)
- **Encapsulamento:** SMD SO-28
- **Temperatura de operação:** -40°C a +85°C (adequado para ambientes industriais e comerciais)

### Características:
- **Memória estática:** A SRAM não requer ciclos de refresh como a DRAM, oferecendo maior velocidade e confiabilidade para armazenamento de dados temporários.
- **Acesso rápido:** Com um tempo de acesso de 70 ns, este CI permite recuperação de dados rápida, ideal para aplicações de alta performance.
- **Operação com baixa latência:** Perfeito para sistemas que necessitam de uma resposta imediata ao acessar dados armazenados.
- **Consumo de energia eficiente:** O consumo de energia é otimizado, especialmente em estado de espera, o que é vantajoso para dispositivos que operam em modos de baixo consumo.

### Aplicações típicas:
- **Sistemas embarcados:** Armazenamento de dados temporários em microcontroladores e microprocessadores.
- **Equipamentos de telecomunicações:** Utilizado em buffer de dados e armazenamento temporário em dispositivos de rede e comunicação.
- **Dispositivos portáteis:** Ideal para dispositivos que precisam de acesso rápido à memória, como medidores e equipamentos industriais.
- **Equipamentos de controle e automação:** Usado em aplicações industriais para armazenar estados e dados de controle.

### Resumo:
O **K6T0808C1D-GL70** é uma SRAM de 1 Mb com encapsulamento SO-28 e tempo de acesso de 70 ns, oferecendo armazenamento rápido e confiável para sistemas que requerem memória estática. Com operação de 5V e compatível com uma faixa de temperatura ampla, é ideal para aplicações em sistemas embarcados, telecomunicações e automação industrial.

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