O **M68AF031AM70MS6** da **STMicroelectronics** é um circuito integrado em encapsulamento **SMD SO-28** que consiste em uma memória **SRAM (Static Random-Access Memory)** de alta velocidade, com uma capacidade de **256 Kbits** (32K x 8 bits). Este tipo de memória é usado para armazenamento temporário de dados em diversos sistemas digitais e eletrônicos devido à sua rapidez e baixa latência.
### Principais Características:
- **Função**: Memória SRAM de 256 Kbits (32K x 8)
- **Encapsulamento**: SMD SO-28
- **Tempo de Acesso**: 70ns
- **Tensão de Operação**: 4.5V a 5.5V
- **Consumo de Energia**: Baixo consumo, ideal para aplicações sensíveis a energia
- **Interface**: Paralela
### Aplicações Comuns:
- Armazenamento temporário de dados em microcontroladores e microprocessadores
- Buffer de dados em sistemas de comunicação e dispositivos embarcados
- Sistemas que requerem memória estática rápida, como equipamentos de rede e dispositivos de armazenamento temporário de dados
Este CI é amplamente utilizado em projetos que exigem memória de alta velocidade e com acesso estável e confiável, sendo adequado para dispositivos de consumo e sistemas industriais.
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