O **Circuito Integrado IS61C256A-20N** da ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) é uma memória **SRAM estática de 32K x 8 bits** encapsulada em **DIP-28**. Ele é utilizado para armazenamento de dados temporários em uma variedade de sistemas eletrônicos, sendo amplamente aplicado em áreas como controle industrial, sistemas embarcados e outros dispositivos que requerem acesso rápido a dados voláteis.
### Características principais:
- **Capacidade de memória**: 32K (32.768) palavras x 8 bits, totalizando 256 Kbit
- **Tempo de acesso**: 20 ns (versão -20N), o que indica alta velocidade de leitura e gravação
- **Tensão de alimentação**: 5V (±10%)
- **Consumo de corrente**:
- Modo ativo: 85 mA (máx.)
- Modo standby: 10 mA (máx.)
- **Ciclo de leitura e escrita**: Sincronizado por acesso assíncrono
- **Encapsulamento**: DIP-28 (28 pinos)
### Aplicações:
- Memórias de cache
- Buffers de dados em sistemas de comunicação
- Armazenamento temporário em sistemas embarcados
- Qualquer aplicação que precise de acesso rápido e de baixa latência aos dados
Esse componente é adequado para projetos que demandam **memória estática de alta velocidade**, em contraste com memórias dinâmicas (DRAM), que necessitam de circuitos de refresh.
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