O P10N20C é um transistor MOSFET de canal N, isolado, projetado para aplicações que exigem alta tensão e capacidade de corrente. Fabricado pela Fairchild Semiconductor (agora parte da ON Semiconductor), este MOSFET é conhecido por seu desempenho confiável em circuitos de potência, como conversores de energia e fontes de alimentação.
Especificações do P10N20C
- Modelo: P10N20C
- Tipo: MOSFET de Canal N
- Encapsulamento: TO-220 isolado
- Fabricante: Fairchild Semiconductor
Características Principais:
- Tensão Máxima de Dreno-Fonte (V_DS): 200V
- Corrente Máxima de Dreno (I_D): 10A
- Dissipação de Potência (P_D): 125W
- Tensão Máxima de Gate-Fonte (V_GS): ±20V
- Resistência de Dreno-Fonte (R_DS(on)): 0.27Ω (típico)
- Temperatura de Operação: -55°C a +150°C
Aplicações:
- Fontes de Alimentação: Usado em fontes de alimentação chaveadas devido à sua eficiência.
- Conversores DC-DC: Ideal para conversores de tensão em aplicações industriais e de consumo.
- Circuitos de Controle de Motor: Adequado para controle de motores e outras cargas indutivas.
- Inversores de Energia: Utilizado em inversores para conversão de corrente contínua em alternada.
Pinagem do TO-220 Isolado:
O encapsulamento TO-220 isolado do P10N20C possui três pinos:
- Pino 1 (Gate - G): Controla a condução do MOSFET.
- Pino 2 (Dreno - D): Conexão por onde a corrente principal flui quando o MOSFET está ativado.
- Pino 3 (Fonte - S): Conexão para a saída da corrente do dreno.
Características de Comutação:
- Tempo de Subida (t_r): 100 ns (típico)
- Tempo de Descida (t_f): 60 ns (típico)
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