O IRFF120 é um MOSFET de canal N projetado para aplicações de comutação de potência. Aqui estão suas principais especificações:
Tipo: MOSFET de Canal N
Tensão Máxima (Vds): 100V
Corrente Máxima (Id): 6A
Resistência de Dreno-Fonte (Rds On): ~0,5Ω (típico)
Tensão de Limite do Gate (Vgs(th)): 2V - 4V
Dissipação de Potência (Pd): 30W
Encapsulamento: TO-205AF-3 (também conhecido como metal can, semelhante ao TO-39)
Carga do Gate (Qg): Baixa carga de gate para comutação rápida
Aplicações: Comutação, regulação de potência, controle de motores e aplicações de RF
Você gostaria do datasheet ou de um exemplo de circuito usando esse MOSFET?
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