O transistor IRF830 é um MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de potência que é amplamente utilizado em aplicações de comutação e amplificação de sinais de alta tensão. Aqui estão as especificações detalhadas e características do IRF830:
- Modelo: IRF830
- Tipo: MOSFET N-channel
- Encapsulamento: TO-220
- Fabricante: International Rectifier (agora parte da Infineon Technologies)
Características:
- Tipo de Canal: N-channel
- Tensão de Dreno-Fonte (V_DS): 500V
- Corrente de Dreno (I_D): 4,5A (máxima contínua, dependendo da dissipação de calor e condições de operação)
- Tensão de Porta-Fonte (V_GS(th)): 2,0V a 4,0V (tensão de limiar, a partir da qual o MOSFET começa a conduzir)
- Resistência Dreno-Fonte em Condução (R_DS(on)): 0,8Ω (máxima, quando V_GS = 10V)
- Dissipação de Potência: 94W (máxima, com um dissipador de calor adequado)
- Capacidade de Carga de Porta (C_iss): 1100pF
Aplicações:
- Comutação de Alta Tensão: Adequado para circuitos de comutação que operam com tensões elevadas, como em fontes de alimentação e inversores.
- Amplificação de Sinal: Usado em circuitos de amplificação de sinal onde é necessário amplificar sinais de alta tensão.
- Controle de Potência: Ideal para aplicações que exigem controle preciso da potência em circuitos eletrônicos.
Pinagem:
O encapsulamento TO-220 do IRF830 possui três pinos:
- Pino 1 (Gate - G): Controle de tensão para a operação do MOSFET. A tensão aplicada ao gate controla a condução entre o dreno e a fonte.
- Pino 2 (Drain - D): Conexão para o dreno, onde a corrente flui do dreno para a fonte quando o MOSFET está ligado.
- Pino 3 (Source - S): Conexão para a fonte, onde a corrente flui da fonte para o dreno quando o MOSFET está ligado.