Transistor IRF830 TO-220

Código: 14610
R$ 1,85
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O transistor IRF830 é um MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de potência que é amplamente utilizado em aplicações de comutação e amplificação de sinais de alta tensão. Aqui estão as especificações detalhadas e características do IRF830:

  • Modelo: IRF830
  • Tipo: MOSFET N-channel
  • Encapsulamento: TO-220
  • Fabricante: International Rectifier (agora parte da Infineon Technologies)

Características:

  • Tipo de Canal: N-channel
  • Tensão de Dreno-Fonte (V_DS): 500V
  • Corrente de Dreno (I_D): 4,5A (máxima contínua, dependendo da dissipação de calor e condições de operação)
  • Tensão de Porta-Fonte (V_GS(th)): 2,0V a 4,0V (tensão de limiar, a partir da qual o MOSFET começa a conduzir)
  • Resistência Dreno-Fonte em Condução (R_DS(on)): 0,8Ω (máxima, quando V_GS = 10V)
  • Dissipação de Potência: 94W (máxima, com um dissipador de calor adequado)
  • Capacidade de Carga de Porta (C_iss): 1100pF

Aplicações:

  • Comutação de Alta Tensão: Adequado para circuitos de comutação que operam com tensões elevadas, como em fontes de alimentação e inversores.
  • Amplificação de Sinal: Usado em circuitos de amplificação de sinal onde é necessário amplificar sinais de alta tensão.
  • Controle de Potência: Ideal para aplicações que exigem controle preciso da potência em circuitos eletrônicos.

Pinagem:

O encapsulamento TO-220 do IRF830 possui três pinos:

  • Pino 1 (Gate - G): Controle de tensão para a operação do MOSFET. A tensão aplicada ao gate controla a condução entre o dreno e a fonte.
  • Pino 2 (Drain - D): Conexão para o dreno, onde a corrente flui do dreno para a fonte quando o MOSFET está ligado.
  • Pino 3 (Source - S): Conexão para a fonte, onde a corrente flui da fonte para o dreno quando o MOSFET está ligado.
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