IRF630 é um transistor MOSFET de canal N, usado principalmente em aplicações de comutação e amplificação de potência. Fabricado originalmente pela International Rectifier (IR), agora parte da Infineon Technologies, este MOSFET é ideal para aplicações que requerem alta eficiência e capacidade de manuseio de potência.
Especificações do IRF630
- Modelo: IRF630
- Tipo: MOSFET de Canal N
- Encapsulamento: TO-220
- Fabricante: International Rectifier (IR)
Características Principais:
- Tensão Máxima de Dreno-Fonte (V_DS): 200V
- Corrente Máxima de Dreno (I_D): 9A
- Dissipação de Potência (P_D): 74W
- Tensão Máxima de Gate-Fonte (V_GS): ±20V
- Resistência de Dreno-Fonte (R_DS(on)): 0.4Ω (típico)
- Temperatura de Operação: -55°C a +150°C
Aplicações:
- Fontes de Alimentação: Usado em fontes de alimentação chaveadas devido à sua alta eficiência.
- Amplificadores de Áudio: Utilizado em circuitos de amplificação de áudio de potência.
- Controle de Motores: Adequado para controle de motores e outras cargas indutivas.
- Conversores DC-DC: Utilizado em circuitos de conversão de tensão devido à sua capacidade de alta corrente e tensão.
Pinagem do TO-220:
O encapsulamento TO-220 do IRF630 possui três pinos:
- Pino 1 (Gate - G): Controla a condução do transistor.
- Pino 2 (Dreno - D): Conexão por onde a corrente principal flui quando o MOSFET está ativado.
- Pino 3 (Fonte - S): Conexão para a saída da corrente do dreno.
- Coletor (Tab): Conectado internamente ao pino de dreno.
Características de Comutação:
- Tempo de Subida (t_r): 60 ns (típico)
- Tempo de Descida (t_f): 40 ns (típico)
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