O IRF1205 é um transistor MOSFET de potência do tipo canal N, projetado para aplicações de alta eficiência em circuitos de chaveamento e conversores de energia. Seguem as principais características do componente:
Especificações Técnicas:
- Tipo: MOSFET Canal N
- Encapsulamento: TO-252 (D-PAK)
- Tensão máxima de dreno-fonte (Vds): 55V
- Corrente máxima de dreno (Id): 98A (em 25°C)
- Resistência Rds(on): 0,0072 ohm (típico)
- Tensão de gate-fonte (Vgs): ±20V
- Potência máxima dissipada (Pd): 120W (em condições ideais de dissipação térmica)
- Carga do gate (Qg): 160nC (típica)
- Temperatura de operação: -55°C a +175°C
Características Principais:
- Baixa resistência Rds(on): Ideal para reduzir perdas de potência em chaveamento.
- Alta capacidade de corrente (Id): Suporta até 98A em condições específicas.
- Design robusto: Compatível com altas temperaturas de operação.
- Encapsulamento compacto (TO-252): Facilita o uso em projetos de alta densidade de potência.
Aplicações Comuns:
- Conversores DC/DC e inversores
- Fontes de alimentação chaveadas
- Controle de motores e circuitos de acionamento
- Sistemas de gerenciamento de energia em veículos e dispositivos industriais
Se precisar do datasheet completo ou ajuda para encontrar equivalentes, é só me avisar!
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