O FQP20N60C é um transistor MOSFET de potência produzido pela ON Semiconductor. Aqui estão alguns detalhes importantes sobre este componente:
Especificações:
- Tipo : MOSFET de canal N
- Tensão de dreno para fonte (Vds) : 600V
- Corrente de dreno contínua (Id) : 20A
- Rds(ligado) : 0,27 Ohm
- Carga de porta (Qg) : 85 nC
- Pacote : TO-220
Características:
- Capacidade de alta tensão para aplicações de comutação.
- Baixo Rds(on) para alta eficiência.
- Adequado para aplicações como fontes de alimentação, controle de motores e outros dispositivos de comutação de alta potência.
Formulários:
- Suprimentos de energia
- Controle motor
- Dispositivos de comutação de alta potência
- Iluminação
- Conversores DC-DC
Características elétricas:
- Tensão de porta-fonte (Vgs) : ±30V
- Tensão de limiar (Vgs(th)) : 2V a 4V
- Dissipação Máxima de Potência (Ptot) : 125W
- Faixa de temperatura operacional : -55°C a +150°C
O pacote TO-220 oferece bom desempenho térmico e é fácil de montar em dissipadores de calor para aplicações que exigem dissipação de energia significativa.
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