MOSFET IRF840PBF TO-220 N-CH 500V 8A IR - Código: 32

Código: 4363-4363

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Descrição


IRF840PBF MOSFET TO-220 N-CH 500V 8A IR

 Folha de dados do IRF840PBF

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Categorias
Fabricante IR
Series -
Embalagem ? Tubo ?
Status da Peça Ativo
Tipo FET Canal n
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm a 4,8 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
Vgs (máx.) ± 20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 125 W (Tc)
Temperatura de operação -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Tipo de montagem Através do orifício
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-220AB
Pacote / caso TO-220-3
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Categorias
Fabricante Vishay Siliconix
Series -
Embalagem ? Tubo ?
Status da Peça Ativo
Tipo FET Canal n
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm a 4,8 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
Vgs (máx.) ± 20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 125 W (Tc)
Temperatura de operação -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Tipo de montagem Através do orifício
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-220AB
Pacote / caso TO-220-3
Classificações ambientais e de exportação
Status sem chumbo / status de RoHS Sem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (ilimitado)
Frequentemente comprados juntos
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Recursos adicionais
Pacote padrão ? 50
Outros nomes * IRF840PBF 
Preço e suprimento

Quantidade
Todos os preços estão em USD.
Quebra de preçoPreço unitárioPreço estendido
1 1,98000 US $ 1,98
50 1,58480 US $ 79,24
100 1,38680 US $ 138,68
500 1,07546 US $ 537,73
1.000 0,84905 US $ 849,05

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