O **CXK581000AM-10LLX** da Sony é um circuito integrado de memória SRAM (Static Random-Access Memory) de **1 Megabit** (128K x 8 bits), encapsulado em **SMD SO-32**. Este CI é utilizado em sistemas que necessitam de armazenamento temporário de dados com acesso rápido e sem necessidade de atualização constante.
### Principais características:
- **Função**: Memória SRAM estática de 1 Megabit (128K x 8)
- **Encapsulamento**: SO-32 (SMD), compacto para aplicações de montagem em superfície
- **Capacidade**: 128K palavras de 8 bits (totalizando 1 Megabit)
- **Tempo de Acesso**: 100 ns (classificação "-10LLX" indica um tempo de acesso de 100 nanosegundos)
- **Tensão de Operação (VCC)**: 5V
- **Baixo Consumo de Energia**: Projeto CMOS para eficiência energética; consome menos energia em modo standby e operação ativa
- **Faixa de Temperatura de Operação**: -40°C a +85°C, adequado para uso em diversas condições ambientais
- **Não Volátil**: Como SRAM, armazena dados apenas enquanto alimentada; os dados são perdidos quando a alimentação é desligada
O **CXK581000AM-10LLX** é ideal para aplicações que requerem armazenamento temporário de dados com acesso rápido e confiável, como em sistemas embarcados, buffers de vídeo, e equipamentos de telecomunicação. A SRAM é particularmente útil em sistemas onde o tempo de resposta é crítico, já que oferece tempos de acesso mais rápidos em comparação com memórias DRAM.
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